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CMOS集成電路電壓擺幅,電壓余度概念介紹
  • 發(fā)布時(shí)間:2022-09-06 18:11:12
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CMOS集成電路電壓擺幅,電壓余度概念介紹
CMOS集成電路
電壓余度(Voltage headroom)是電路內(nèi)部消耗掉的電壓降,不能被轉(zhuǎn)化為output voltage swing 的部分,通常這部分電壓降是用來維持working transistors,讓他們處于saturation region。
In saturation region, Vgs-Vth(overdrive voltage) < Vds,每個(gè)working transistor 的Vds 都貢獻(xiàn) voltage headroom。
我們需要Vds 比Vgs-Vth 大,通常Vth是確定的,假設(shè)Vgs-Vth被設(shè)定在0.2V 左右,Vds通常都得大于0.2V。比如說三個(gè)MOS transistor 串聯(lián),每個(gè)需要0.2V的 Vds,那么voltage headroom就是0.2*3 = 0.6V,如果Vdd=1.5V,那么最大的Output voltage swing 就只有 0.9V。
一般來說voltage headroom對(duì)于low supply voltage case 比較重要,因?yàn)橐赩dd比較小的狀態(tài)下,減小headroom,增大output swing。
電源電壓和輸出電壓所能達(dá)到的最大值之間的差值,就是電壓余度。例如二極管連接(diode-connected MOS)做負(fù)載,輸出電壓達(dá)不到Vdd,而是Vdd-Vth,這個(gè)Vth就是電壓余度。
而線性負(fù)載或是電阻消耗的電壓余度為0,也就是說輸出電壓可以達(dá)到Vdd。電壓余度與輸出電壓所能達(dá)到的最大值相加就是電源電壓,電路消耗的電壓余度越大,輸出擺幅也就越小。
更加清楚的解釋就是輸出電壓所能達(dá)到的最大值與電路電源之間的差值,這就是電壓余度。
由于二極管連接的負(fù)載的電壓損耗,輸出電壓往往達(dá)不到Vdd,而是Vdd-Vth,這個(gè)Vth就是電壓余度,也叫做閾值損失,而線性負(fù)載或是電阻的消耗的電壓余度就為0,也就是說輸出電壓可以達(dá)到Vdd。
電壓余度與輸出電壓所能達(dá)到的最大值相加就是電源電壓,也就是電路消耗的電壓余度越大,輸出擺幅也就越小。
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