場(chǎng)效應(yīng)管飽和區(qū)
場(chǎng)效應(yīng)管飽和區(qū)是指場(chǎng)效應(yīng)管輸出特性曲線族中漏源電壓U(DS)較大，且漏極電流I(D)基本不隨U(DS)增加而變化的部分。這段特性曲線近似水平，故又叫“恒流區(qū)”。它表示場(chǎng)效應(yīng)管預(yù)夾斷后I(D)和U(DS)之間的關(guān)系。
mos管飽和區(qū)條件
MOS管飽和區(qū)工作條件有以下幾點(diǎn)，
閾值電壓：MOS管進(jìn)入飽和區(qū)的條件是柵極電壓高于一定的閾值電壓，這個(gè)閾值電壓是MOS管的一個(gè)重要參數(shù)，決定了MOS管的工作狀態(tài)。
漏極電壓：在飽和區(qū)工作時(shí)，漏極電壓較低，基本保持在一個(gè)較小的范圍內(nèi)。這是因?yàn)樵陲柡蛥^(qū)，MOS管的導(dǎo)通電阻較低，使得漏極電壓較小。
飽和電壓：MOS管的飽和區(qū)與導(dǎo)通區(qū)之間存在一個(gè)臨界電壓，稱(chēng)為飽和電壓。
恒流區(qū)：當(dāng)Vgs一定，當(dāng)Vds大于Vgs-Vth時(shí)（Vth為開(kāi)通的閾值電壓），漏極電流Id恒定不變，不隨Vds增大而增大，俗稱(chēng)為飽和。
場(chǎng)效應(yīng)管飽和區(qū)的電壓條件：在飽和區(qū)，場(chǎng)效應(yīng)管的柵極-源極電壓（Vgs）要小于或等于臨界電壓（Vth），且柵極-漏極電壓（Vds）要大于或等于零。這樣的電壓條件可以使得場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通狀態(tài)穩(wěn)定，從而實(shí)現(xiàn)飽和區(qū)的工作。
場(chǎng)效應(yīng)管飽和區(qū)的電流條件：在飽和區(qū)，場(chǎng)效應(yīng)管的漏極電流（Ids）要大于或等于飽和電流（Idsat），同時(shí)柵極-源極電流（Igs）要小于或等于零。這樣的電流條件可以保證場(chǎng)效應(yīng)管在飽和區(qū)工作時(shí)的穩(wěn)定性和可靠性。
mos管飽和條件及狀態(tài)
MOSFET飽和條件
當(dāng)確定D極與S極現(xiàn)在處與一個(gè)導(dǎo)通狀態(tài)后，
1.Vgs＞=Vt;
2.Vds＞=Vgs-Vt;
電路在滿(mǎn)足這三個(gè)條件的時(shí)候就達(dá)到了MOSFET的飽和狀態(tài)，如果當(dāng)前電路只滿(mǎn)足了第一個(gè)條件而沒(méi)有滿(mǎn)足第二個(gè)條件這是MOSFET就處于一個(gè)未飽和的狀態(tài)。
MOSFET未飽和狀態(tài)
MOSFET飽和狀態(tài)
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