pn結電容
一塊半導體晶體一側摻雜成P型半導體，另一側摻雜成N型半導體，中間二者相連的接觸面稱為PN結（英語：pn junction）。PN結是電子技術中許多元件，例如半導體二極管、雙極性晶體管的物質基礎。PN結電容分為兩部分，勢壘電容和擴散電容。
勢壘電容
我們知道，P區(qū)空穴多，N區(qū)電子多，因為擴散，會在中間形成內建電場區(qū)。N區(qū)那邊失去電子帶正電荷，P區(qū)那邊得到電子帶負電荷。
當給PN結加上穩(wěn)定的電壓，那么穩(wěn)定后，內建電場區(qū)的厚度也會穩(wěn)定為一個值，也就是說內部電荷一定。如果PN結上的電壓向反偏的方向增大，那么內建電場區(qū)厚度也增加，即內部電荷增多。反之，如果電壓減小，那么內部電荷減少。
PN結兩端電壓變化，引起積累在中間區(qū)域的電荷數量的改變，從而呈現電容效應，這個電容就是勢壘電容。
勢壘寬度，也就是內建電場區(qū)的寬度，是與電壓相關的。所以說，不同的電壓下，勢壘電容的大小也是不同的。
二極管在反偏時，勢壘電容起主要作用，而正偏時，擴散電容起主要作用。
擴散電容
當有外加正向偏壓時，在 p-n 結兩側的少子擴散區(qū)內，都有一定的少數載流子的積累，而且它們的密度隨電壓而變化，形成一個附加的電容效應，稱為擴散電容。
當PN結加上正向電壓，內部電場區(qū)被削弱，因為濃度差異，P區(qū)空穴向N區(qū)擴散，N區(qū)的電子向P區(qū)擴散。
擴散的空穴和電子在內部電場區(qū)相遇，會有部分空穴和電子復合而消失，也有部分沒有消失。沒有復合的空穴和電子穿過內部電場區(qū)，空穴進入N區(qū)，電子進入P區(qū)。
進入N區(qū)的空穴，并不是立馬和N區(qū)的多子-電子復合消失，而是在一定的距離內，一部分繼續(xù)擴散，一部分與N區(qū)的電子復合消失。
顯然，N區(qū)中靠近內部電場區(qū)處的空穴濃度是最高的，距離N區(qū)越遠，濃度越低，因為空穴不斷復合消失。同理，P區(qū)也是一樣，濃度隨著遠離內部電場區(qū)而逐漸降低。
當外部電壓穩(wěn)定不變的時候，最終P區(qū)中的電子，N區(qū)中的空穴濃度也是穩(wěn)定的。也就是說，P區(qū)中存儲了數量一定的電子，N區(qū)中存儲了數量一定的空穴。如果外部電壓不變，存儲的電子和空穴數量就不會發(fā)生變化，也就是說穩(wěn)定存儲了一定的電荷。
但是，如果電壓發(fā)生變化，比如正向電壓降低，電流減小，單位時間內涌入N區(qū)中的空穴也會減小，這樣N區(qū)中空穴濃度必然會降低。同理，P區(qū)中電子濃度也降低。所以，穩(wěn)定后，存儲的電子和空穴的數量想比之前會更少，也就是說存儲的電荷就變少了。
電壓變化，存儲的電荷量也發(fā)生了變化，跟電容的表現一模一樣，這電容就是擴散電容了。
勢壘電容與擴散電容區(qū)別
聯系：兩者都具有電容效應
區(qū)別：勢壘電容是由于空間電荷區(qū)的寬窄變化來產生的，而正偏的時候空間電荷區(qū)很窄，勢壘電容很小，近似可以忽略，即勢壘電容主要產生在pn結反偏時期；擴散電容是靠非平衡少子的擴散運動形成的濃度梯度產生的，反偏時主要是平衡少子在運動，耗盡層的寬度很寬，內建電場限制著非平衡少子的擴散運動，基本可以忽略，因此擴散運動主要產生在pn接正偏時期。
mos結電容
是半導體，就有PN結，有PN結，就有結電容。
盡管結電容的容量非常小,對電路穩(wěn)定性的影響卻是不容忽視的，處理不當往往會引起高頻自激振蕩。更為不利的是,柵控器件的驅動本來只需要一個控制電壓而不需要控制功率,但是工作頻率比較高的時候,結電容的存在會消耗可觀的驅動功率，頻率越高,消耗的功率越大。
這也就是我們通常認為，MOSFET的GS兩極之間是一個高阻值的電阻，但是在設計開關電源的時候，我們通常需要加粗Gate極的PCB走線。保障在開關的過程中，驅動MOSFET的瞬間電流比較大，有足夠的通流能力。這正是因為極間等效電容的存在。
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