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淺析MOS管的寄生電感與寄生電容
2024-12-30
淺析MOS管的寄生電感與寄生電容寄生電容和寄生電感是指在電路中存在的非意圖的電容和電感元件。它們通常是由于電路布局、線路長(zhǎng)度、器件之
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MOS管亞閾值電壓介紹
2024-12-30
MOS管亞閾值電壓介紹我們知道經(jīng)常會(huì)提及MOS管的閾值電壓，那亞閾值電壓大家是否熟知呢？簡(jiǎn)單來(lái)說，柵極電壓低于閾值電壓,半導(dǎo)體表面僅僅只
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MOS管雪崩擊穿介紹
2024-12-28
MOS管雪崩擊穿介紹雪崩擊穿是指在高壓、高電場(chǎng)強(qiáng)度下，半導(dǎo)體材料中的載流子倍增現(xiàn)象。當(dāng)半導(dǎo)體內(nèi)部的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到一定程度時(shí)，原本穩(wěn)定的
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MOSFET,襯偏效應(yīng)與體效應(yīng)解析
2024-12-28
MOSFET,襯偏效應(yīng)與體效應(yīng)解析襯底偏置效應(yīng)和體效應(yīng)是半導(dǎo)體器件中常見的兩種效應(yīng)。襯底偏置效應(yīng)：指在MOS管中，襯底與柵極之間的電勢(shì)差對(duì)導(dǎo)
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MOS管Vg大于Vth后,耗盡區(qū)會(huì)繼續(xù)變大嗎
2024-12-28
MOS管Vg大于Vth后,耗盡區(qū)會(huì)繼續(xù)變大嗎在MOS管中，柵極電壓控制耗盡區(qū)的形成。MOS管的耗盡區(qū)，電流主要由漏極到源極的電流決定。當(dāng)柵極電壓
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在MOSFET導(dǎo)通應(yīng)用中,為什么以柵源電壓VGS大于VTH為判斷依據(jù)
2024-12-28
在MOSFET導(dǎo)通應(yīng)用中,為什么以柵源電壓VGS大于VTH為判斷依據(jù)網(wǎng)上看到這個(gè)問題:一般在介紹 MOS 管工作時(shí)，似乎都是說在柵級(jí)加一個(gè)電壓，當(dāng)
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四種常見的MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)介紹
2024-12-28
四種常見的MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)介紹MOS管常見的幾種驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)（但不限于）以及如何選擇合適的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)來(lái)驅(qū)動(dòng)MOS管。MOS管有著導(dǎo)通內(nèi)阻
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共柵極放大電路為什么具有單位電流增益
2024-12-28
共柵極放大電路為什么具有單位電流增益共柵極放大電路（Common Source Amplifier）是一種常用的放大電路配置。它具有單位電流增益的原因
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單片機(jī)能直接驅(qū)動(dòng)MOS管嗎
2024-12-28
單片機(jī)能直接驅(qū)動(dòng)MOS管嗎我們看到單片機(jī)IO驅(qū)動(dòng)MOS管，一般都不會(huì)看到單片機(jī)直接驅(qū)動(dòng)MOS管，更多時(shí)候單片機(jī)驅(qū)動(dòng)MOS管是加入三極管來(lái)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)
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淺析SiC MOSFET的開關(guān)行為
2024-12-27
淺析SiC MOSFET的開關(guān)行為相比于傳統(tǒng)的硅（Si）MOSFET，SiC具有優(yōu)異的電性能特性，包括高擊穿電壓、高電子遷移率和高熱穩(wěn)定性。因此具有更
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淺析MOSFET和雙向電源開關(guān)(BPS)
2024-12-27
淺析MOSFET和雙向電源開關(guān)(BPS)雙向開關(guān)雙向電源開關(guān)，即BPS，一種使用MOSFET或 IGBT 構(gòu)建的有源器件，在上電時(shí)允許雙向雙向電流流動(dòng)，并
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MOS管的GS波形是什么
2024-12-27
MOS管的GS波形是什么GS波形的作用和影響GS波形在MOS管工作狀態(tài)下的分析什么是MOS 管的 GS 波形GS波形是指在MOS管的柵極和源極之間的電壓