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p溝道m(xù)os管導(dǎo)通條件-p溝道m(xù)os管導(dǎo)通電壓
2019-11-20
p溝道m(xù)os管導(dǎo)通條件p溝道m(xù)os管在知道p溝道m(xù)os管導(dǎo)通條件前，來(lái)了解MOS管基礎(chǔ)知識(shí)。p溝道m(xù)os管是指n型襯管底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流
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MOS管TO封裝-MOS管TO系列封裝引腳尺寸外觀圖
2019-11-20
MOS管TO封裝文中將會(huì)介紹TO封裝系列的封裝尺寸及外觀圖，MOSFET芯片在制作完成之后,需要給MOSFET芯片加上一個(gè)外殼,即MOS管封裝。MOSFET芯片
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MOS管選型基礎(chǔ)和參數(shù)要點(diǎn)
2019-11-20
MOS管的基礎(chǔ)選型MOS管有兩大類型：N 溝道和 P 溝道。在功率系統(tǒng)中，MOS管可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當(dāng)在 N 溝道MOS管的柵極和源極間加上正電
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雙向mos管電平轉(zhuǎn)換電路-三極管電平轉(zhuǎn)換與驅(qū)動(dòng)電路解析
2019-11-20
mos管電平轉(zhuǎn)換電路電平介紹在了解mos管電平轉(zhuǎn)換電路之前，我們來(lái)了解一下電平的一些基本知識(shí)。所謂電平，是指兩功率或電壓之比的對(duì)數(shù)，有時(shí)
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大電流同步整流原理-同步整流電路結(jié)構(gòu)和同步整流技術(shù)
2019-11-20
大電流同步整流原理同步整流的基本電路結(jié)構(gòu)大電流同步整流原理，同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET，來(lái)取代整流二極管以降低整流
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常用電子元件識(shí)別大全圖-電子元件應(yīng)用
2019-11-20
電子元件識(shí)別大全圖電子元件識(shí)別大全圖，電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)，作為一位電子元器件的采購(gòu)，不單單是需要靈活的業(yè)務(wù)能力，還更需要掌握電子元
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n溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管原廠型號(hào)大全-n溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管工作
2019-11-20
n溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管n溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管工作原理Ugs對(duì)導(dǎo)電溝道和D i 的控制作用：當(dāng)Ugs= 0時(shí)，導(dǎo)電溝道未受任何電場(chǎng)的作用，導(dǎo)電溝道最寬，
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tip42c參數(shù)規(guī)格書-tip42c引腳圖電路應(yīng)用
2019-11-19
tip42c參數(shù),tip42c引腳圖電路圖,tip42ctip42c參數(shù)規(guī)格書點(diǎn)擊查看規(guī)格書。查看tip42c參數(shù)詳情tip42c參數(shù)封裝尺寸tip42c概述tip42是由美國(guó)得
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mos管與門電路圖詳情與概述-CMOS邏輯門電路原理圖分析
2019-11-19
mos管與門電路圖mos管mos管與門電路圖，mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(in
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mos管led驅(qū)動(dòng)電路圖與原理-led驅(qū)動(dòng)方式-LED驅(qū)動(dòng)電源分析
2019-11-19
mos管led驅(qū)動(dòng)電路圖led驅(qū)動(dòng)mos管led驅(qū)動(dòng)電路圖，LED是特性敏感的半導(dǎo)體器件，又具有負(fù)溫度特性，因而在應(yīng)用過(guò)程中需要對(duì)其進(jìn)行穩(wěn)定工作狀態(tài)
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mos管導(dǎo)通與截止-mos管導(dǎo)通過(guò)程和條件-如何判斷MOS管工作狀態(tài)
2019-11-19
mos管導(dǎo)通和截止mos管導(dǎo)通條件mos管導(dǎo)通和截止由柵源電壓來(lái)控制，對(duì)于增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管來(lái)說(shuō)，N溝道的管子加正向電壓即導(dǎo)通，P溝道的管子則加
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怎么消除mos管GS波形振蕩與MOS管GS之間并聯(lián)電阻作用
2019-11-19
MOS管,GS波形振蕩如何消除mos管的GS波形振蕩，先了解mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金